High-resistivity p-type silicon-based p-i-n photodiode with high responsivity at the wavelength of 1060 nm / Kukurudziak M. S., Andreeva O. P., Lipka V. M. (2020)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001194859
  Технология и конструирование в электронной аппаратуре   Б - 2020  /     Випуск (2020, № 5-6)

Kukurudziak M. S., Andreeva O. P., Lipka V. M.
High-resistivity p-type silicon-based p-i-n photodiode with high responsivity at the wavelength of 1060 nm

Cite:
Kukurudziak, M. S., Andreeva, O. P., Lipka, V. M. (2020). High-resistivity p-type silicon-based p-i-n photodiode with high responsivity at the wavelength of 1060 nm. Technology and design in electronic equipment, 5-6, 16-19. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001194859

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна