Фундаментальні обмеження для довжини каналу провідності MOSFET з урахуванням реального вигляду бар'єрного потенціалу / Стріха М. В., Курчак А. І. (2021)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001276634
  Український фізичний журнал      А - 2018  /     Випуск (2021, Т. 66, № 7)

Стріха М. В., Курчак А. І.
Фундаментальні обмеження для довжини каналу провідності MOSFET з урахуванням реального вигляду бар'єрного потенціалу

Бібліографічний опис:
Стріха М. В., Курчак А. І. Фундаментальні обмеження для довжини каналу провідності MOSFET з урахуванням реального вигляду бар'єрного потенціалу. Український фізичний журнал. 2021. Т. 66, № 7. С. 625-629. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001276634

English  Ukrainian Journal of Physics   /     Issue (2021, 66 (7))

Strikha M. V., Kurchak A. I.
Fundamental limits for the MOSFET conduction channel length taking the real profile of the barrier potential into account

Cite:
Strikha, M. V., Kurchak, A. I. (2021). Fundamental limits for the MOSFET conduction channel length taking the real profile of the barrier potential into account. Ukrainian Journal of Physics, 66 (7), 625-629. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001276634 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна