Оптоэлектронные сенсорные структуры на основе пленок пористого оксида алюминия, полученных импульсным лазерным осаждением / Ушенин Ю. В., Христосенко Р. В., Самойлов А. В., Дорожинский Г. В., Каганович Э. Б., Манойлов Э. Г., Снопок Б. А. (2012)
інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001287275
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Б - 2020 /  Випуск (2012, Вып. 47)
Ушенин Ю. В., Христосенко Р. В., Самойлов А. В., Дорожинский Г. В., Каганович Э. Б., Манойлов Э. Г., Снопок Б. А.
Оптоэлектронные сенсорные структуры на основе пленок пористого оксида алюминия, полученных импульсным лазерным осаждением
Бібліографічний опис:
Ушенин Ю. В., Христосенко Р. В., Самойлов А. В., Дорожинский Г. В., Каганович Э. Б., Манойлов Э. Г., Снопок Б. А. Оптоэлектронные сенсорные структуры на основе пленок пористого оксида алюминия, полученных импульсным лазерным осаждением. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2012. Вып. 47. С. 40-45. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001287275 |  Optoelectronics and Semiconductor Technique / Issue (2012, 47)
Ushenin Ju. V., Khristosenko R. V., Samojlov A. V., Dorozhinskij G. V., Kaganovich E. B., Manojlov E. G., Snopok B. A.
Optoelectronic sensor structure based on porous alumina films formed by pulsed laser deposition
Cite:
Ushenin, Ju. V., Khristosenko, R. V., Samojlov, A. V., Dorozhinskij, G. V., Kaganovich, E. B., Manojlov, E. G., Snopok, B. A. (2012). Optoelectronic sensor structure based on porous alumina films formed by pulsed laser deposition. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 47, 40-45. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001287275 [In Russian]. | |
|
|
PDF