Кинетика фотолюминесценции пористых nc-Si–siox-структур / Михайловская Е. В., Данько В. А., Индутный И. З., Шепелявый П. Е. (2012)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001287284
  Оптоэлектроника и полупроводниковая техника  Б - 2020  /     Випуск (2012, Вып. 47)

Михайловская Е. В., Данько В. А., Индутный И. З., Шепелявый П. Е.
Кинетика фотолюминесценции пористых nc-Si–siox-структур

Бібліографічний опис:
Михайловская Е. В., Данько В. А., Индутный И. З., Шепелявый П. Е. Кинетика фотолюминесценции пористых nc-Si–siox-структур. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2012. Вып. 47. С. 97-103. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001287284

English  Optoelectronics and Semiconductor Technique   /     Issue (2012, 47)

Mikhajlovskaja E. V., Danko V. A., Indutnyj I. Z., Shepeljavyj P. E.
Kinetic of photoluminescence of porous nc-Si–SiOx structures

Cite:
Mikhajlovskaja, E. V., Danko, V. A., Indutnyj, I. Z., Shepeljavyj, P. E. (2012). Kinetic of photoluminescence of porous nc-Si–SiOx structures. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 47, 97-103. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001287284 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна