Метод "очищення" поверхні фоточутливих елементів кремнієвих p-i-n фотодіодів від дислокацій / Кукурудзяк М. С. (2023)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001412160
  Хімія, фізика та технологія поверхні    А - 2022  /     Випуск (2023, Т. 14, № 2)

Кукурудзяк М. С.
Метод "очищення" поверхні фоточутливих елементів кремнієвих p-i-n фотодіодів від дислокацій

Бібліографічний опис:
Кукурудзяк М. С.  Метод "очищення" поверхні фоточутливих елементів кремнієвих p-i-n фотодіодів від дислокацій. Хімія, фізика та технологія поверхні. 2023. Т. 14, № 2. С. 182-190. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001412160

English  Chemistry, physics and technology of surface   /     Issue (2023, 14 (2))

Kukurudziak M. S.
Method of "cleaning” the surface of responsive elements of silicon p-i-n photodiodes from dislocations

Cite:
Kukurudziak, M. S. (2023). Method of "cleaning” the surface of responsive elements of silicon p-i-n photodiodes from dislocations. Chemistry, physics and technology of surface, 14 (2), 182-190. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001412160 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна