Aspects of using of sheet thermomigration of the Al+Si three-dimensional liquid zone to form semiconductor power devices / Polukhin O. S., Kravchina V. V. (2023)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001441047
  Технологія та конструювання в електронній апаратурі   Б - 2020  /     Випуск (2023, № 1-2)

Polukhin O. S., Kravchina V. V.
Aspects of using of sheet thermomigration of the Al+Si three-dimensional liquid zone to form semiconductor power devices

Бібліографічний опис:
Polukhin O. S., Kravchina V. V. Aspects of using of sheet thermomigration of the Al+Si three-dimensional liquid zone to form semiconductor power devices. Технологія та конструювання в електронній апаратурі. 2023. № 1-2. С. 34-42. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001441047

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна