Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb / Tetyorkin V. V., Tkachuk A. I., Lutsyshyn I. G. (2024)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001470103
  Український фізичний журнал      А - 2018  /     Випуск (2024, Т. 69, № 1)

Tetyorkin V. V., Tkachuk A. I., Lutsyshyn I. G.
Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb

Cite:
Tetyorkin, V. V., Tkachuk, A. I., Lutsyshyn, I. G. (2024). Ukrainian Journal of Physics, 69 (1), 45-52 http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001470103

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна