інтернет-адреса сторінки:
http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001553598
Ukrainian journal of physics 
А - 2018 /
Випуск (2025, Vol. 70, № 1)
Tetyorkin V., Tsybrii Z., Slipokurov V., Yevmenova A., Andrieieva K., Kosulya O.
Modeling of the mechanisms of charge carrier transport in HgCdTe and InSb photodiodes in the 3–5-μm spectral Interval
Повний текст публікації буде доступним після 01.08.2025 р. - через 81 днів
Бібліографічний опис:
Tetyorkin V., Tsybrii Z., Slipokurov V., Yevmenova A., Andrieieva K., Kosulya O. Modeling of the mechanisms of charge carrier transport in HgCdTe and InSb photodiodes in the 3–5-μm spectral Interval. Ukrainian journal of physics. 2025. Vol. 70, № 1. С. 56-67. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001553598
