Особливості дії ультразвуку на електронний транспорт 2DEG та 3DEG носіїв заряду в гетероструктурах GaN/AlGaN/GaN/AlN / Оліх Я. М., Тимочко М. Д. (2022)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001649557
  Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка  Б - 2020  /     Випуск (2022, Вип. 57)

Оліх Я. М., Тимочко М. Д.
Особливості дії ультразвуку на електронний транспорт 2DEG та 3DEG носіїв заряду в гетероструктурах GaN/AlGaN/GaN/AlN

Бібліографічний опис:
Оліх Я. М., Тимочко М. Д. Особливості дії ультразвуку на електронний транспорт 2DEG та 3DEG носіїв заряду в гетероструктурах GaN/AlGaN/GaN/AlN. Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка. 2022. Вип. 57. С. 93-100. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001649557

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна