Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка. 2022 (57) АРХІВ (Всі випуски) 
 | Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка
2022. Вип. 57 |
- Титул.
- Зміст.
- Звернення Головного редактора збірника наукових праць "Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка" до читачів. - C. 5-6.
- Качур Н. В., Дорожинська Г. В., Дорожинський Г. В., Маслов В. П., Федоренко А. В. Перспективи та тенденції розвитку приладів та методів на основі явища поверхневого плазмонного резонансу в інфрачервоному діапазоні (огляд). - C. 7-17.
- Дорожинська Г. В., Маслов В. П., Дорожинський Г. В. Застосування плазмоніки для аналізу полідисперсних систем (огляд). - C. 18-28.
- Тетьоркін В. В., Ткачук А. І., Ворощенко А. Т., Луцишин І. Г. InSb фотодіоди (огляд, частина V). - C. 29-42.
- Власенко О. І., Власенко З. К. Індукована перебудова кристалічної структури та акустичний відгук в напівпровідниках на основі телуриду кадмію для застосування в оптоелектроніці та актуальних напрямах напівпровідникової техніки (огляд). - C. 43-70.
- Шабашкевич Б. Г., Добровольський Ю. Г., Юр'єв В. Г., Неєжмаков П. І., Сорокін В. М., Пекур Д. В. Спеціалізований фотометр для контролю яскравості та освітленості дорожнього покриття. - C. 71-81.
- Костюкевич С. О., Костюкевич К. В., Христосенко Р. В., Коптюх А. А., Погода В. І. Чутливий елемент сенсора поверхневих плазмонів з термічною модифікацією структурних властивостей полімерної підкладки. - C. 82-92.
- Оліх Я. М., Тимочко М. Д. Особливості дії ультразвуку на електронний транспорт 2DEG та 3DEG носіїв заряду в гетероструктурах GaN/AlGaN/GaN/AlN. - C. 93-100.
- Назаренко Л. А., Суворова К. І., Гур’єв М. В. Cпектральний розподіл потужності світлодіодів та присмеркова фотометрія. - C. 101-113.
- Шеховцов Л. В. Перехідний шар і латеральна фотоерс в напівпровідниковій гетеросистемі. - C. 114-120.
- Купко О. Д., Шлома А. І. Аналіз джерел невизначеностей на шляху створення еталону одиниці яскравості. - C. 121-132.
- Крючин А. А., Петров В. В., Рубіш В. М., Трунов М. Л., Костюкевич С. О., Костюкевич К. В. Технології створення поверхневих рельєфів на плівках халькогенідних напівпровідників. - C. 133-144.
- Пекур І. В., Пекур Д. В. Спектральні параметри квазімонохроматичних світлодіодів для систем освітлення з регульованим спектральним складом. - C. 145-151.
- Дорожинська Г. В., Григорчук М. О., Дорожинський Г. В. Визначення товщини плазмон-осійних шарів фотометричним методом. - C. 152-159.
- Правила для авторів збірника наукових праць "Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка". - C. 160-161.
|
|
