Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии / Вакив Н. М., Круковский С. И., Ларкин С. Ю., Авксентьев А. Ю., Круковский Р. С. (2014)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405260
  Технология и конструирование в электронной аппаратуре   Б - 2020  /     Випуск (2014, № 2-3)

Вакив Н. М., Круковский С. И., Ларкин С. Ю., Авксентьев А. Ю., Круковский Р. С.
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии

Бібліографічний опис:
Вакив Н. М., Круковский С. И., Ларкин С. Ю., Авксентьев А. Ю., Круковский Р. С. Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2014. № 2-3. С. 61-66. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405260

English  Technology and design in electronic equipment   /     Issue (2014, 2-3)

Vakiv N. M., Krukovskij S. I., Larkin S. Ju., Avksentev A. Ju., Krukovskij R. S.
Sharp interfaces in p+-AlGaAs/n-GaAs epitaxial structures obtained by MOCVD

Cite:
Vakiv, N. M., Krukovskij, S. I., Larkin, S. Ju., Avksentev, A. Ju., Krukovskij, R. S. (2014). Sharp interfaces in p+-AlGaAs/n-GaAs epitaxial structures obtained by MOCVD. Technology and design in electronic equipment, 2-3, 61-66. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405260 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна