Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO2-Si с глубокими примесными уровнями / Жураев Н., Халилов М., Отажонов С., Алимов Н. (2017)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000838914
  Журнал фізики та інженерії поверхні   /     Випуск (2017, Т. 2, № 1)

Жураев Н., Халилов М., Отажонов С., Алимов Н.
Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO2-Si с глубокими примесными уровнями

Бібліографічний опис:
Жураев Н., Халилов М., Отажонов С., Алимов Н. Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO2-Si с глубокими примесными уровнями. Журнал фізики та інженерії поверхні. 2017. Т. 2, № 1. С. 26-29. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000838914

English  Zhurnal fizyky ta inzhenerii poverkhni   /     Issue (2017, 2 (1))

Zhuraev N., Khalilov M., Otazhonov S., Alimov N.
Photosensitivity and current flow mechanism in p-CdTe-SiO2-Si heterostructures with deep impurity levels

Cite:
Zhuraev, N., Khalilov, M., Otazhonov, S., Alimov, N. (2017). Photosensitivity and current flow mechanism in p-CdTe-SiO2-Si heterostructures with deep impurity levels. Zhurnal fizyky ta inzhenerii poverkhni, 2 (1), 26-29. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000838914 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна