Химическое травление монокристаллов PbTe и Pb1–xSnxTe растворами H2O2–HBr с использованием разной исходной концентрации HBr / Маланич Г. П., Томашик В. М., Стратийчук И. Б., Томашик З. Ф. (2015)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001061485
  Оптоэлектроника и полупроводниковая техника  Б - 2020  /     Випуск (2015, Вып. 50)

Маланич Г. П., Томашик В. М., Стратийчук И. Б., Томашик З. Ф.
Химическое травление монокристаллов PbTe и Pb1–xSnxTe растворами H2O2–HBr с использованием разной исходной концентрации HBr

Бібліографічний опис:
Маланич Г. П., Томашик В. М., Стратийчук И. Б., Томашик З. Ф. Химическое травление монокристаллов PbTe и Pb1–xSnxTe растворами H2O2–HBr с использованием разной исходной концентрации HBr. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2015. Вып. 50. С. 94-101. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001061485

English  Optoelectronics and Semiconductor Technique   /     Issue (2015, 50)

Malanich G. P., Tomashik V. M., Stratijchuk I. B., Tomashik Z. F.
Chemical etching of PbTe and Pb1–xSnxTe single crystals by using H2O2–HBr solutions with different initial HBr concentrations

Cite:
Malanich, G. P., Tomashik, V. M., Stratijchuk, I. B., Tomashik, Z. F. (2015). Chemical etching of PbTe and Pb1–xSnxTe single crystals by using H2O2–HBr solutions with different initial HBr concentrations. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 50, 94-101. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001061485 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна