Зіставлення електрофізичних властивостей кристалів кремнію, легованих домішкою фосфору крізь розплав і методом ядерної трансмутації / Баранський П. І., Гайдар Г. П. (2015)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001061482
  Оптоэлектроника и полупроводниковая техника  Б - 2020  /     Випуск (2015, Вып. 50)

Баранський П. І., Гайдар Г. П.
Зіставлення електрофізичних властивостей кристалів кремнію, легованих домішкою фосфору крізь розплав і методом ядерної трансмутації

Бібліографічний опис:
Баранський П. І., Гайдар Г. П. Зіставлення електрофізичних властивостей кристалів кремнію, легованих домішкою фосфору крізь розплав і методом ядерної трансмутації. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2015. Вып. 50. С. 73-78. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001061482

English  Optoelectronics and Semiconductor Technique   /     Issue (2015, 50)

Baranskyi P. I., Haidar H. P.
Comparison of the electrophysical properties of silicon crystals doped with phosphorus through the melt and by using the method of nuclear transmutation

Cite:
Baranskyi, P. I., Haidar, H. P. (2015). Comparison of the electrophysical properties of silicon crystals doped with phosphorus through the melt and by using the method of nuclear transmutation. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 50, 73-78. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001061482 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна