Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs / Прохоров Э. Д., Боцула О. В., Клименко О. А. (2012)
Ukrainian

English  Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine    /     Issue (2012, 4)

translit Transliteration


Prokhorov E. D., Botsula O. V., Klimenko O. A.
Vlijanie mezhdolinnogo perenosa elektronov na effektivnost generatsii diodov s tunnelnymi granitsami na osnove GaAs


Cite:
Prokhorov, E. D., Botsula, O. V., Klimenko, O. A. (2012). Vlijanie mezhdolinnogo perenosa elektronov na effektivnost generatsii diodov s tunnelnymi granitsami na osnove GaAs. Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine , 4, 75-80 http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000109921 [In Russian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU


+38 (044) 525-36-24
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209