Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs / Прохоров Э. Д., Боцула О. В., Клименко О. А. (2012)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000109921
  Доповiдi Національної академії наук України   Б - 2019  /     Випуск (2012, № 4)

Прохоров Э. Д., Боцула О. В., Клименко О. А.
Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs

Бібліографічний опис:
Прохоров Э. Д., Боцула О. В., Клименко О. А. Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs. Доповiдi Національної академії наук України. 2012. № 4. С. 75-80. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000109921

English  Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine    /     Issue (2012, 4)

translit Transliteration

Prokhorov E. D., Botsula O. V., Klimenko O. A.
Vlijanie mezhdolinnogo perenosa elektronov na effektivnost generatsii diodov s tunnelnymi granitsami na osnove GaAs

Cite:
Prokhorov, E. D., Botsula, O. V., Klimenko, O. A. (2012). Vlijanie mezhdolinnogo perenosa elektronov na effektivnost generatsii diodov s tunnelnymi granitsami na osnove GaAs. Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine , 4, 75-80 http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000109921 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна