Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures / Lytovchenko, N. M., Korbutiak, D. V., Strilchuk, O. M. (2013)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000725454
  Ukrainian Journal of Physics      А - 2018  /     Issue (2013, Т. 58, № 3)

Литовченко Н. М., Корбутяк Д. В., Стрільчук О. М.
Екситонні характеристики InxGa1-xAs−GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах

Бібліографічний опис:
Литовченко Н. М., Корбутяк Д. В., Стрільчук О. М. Екситонні характеристики InxGa1-xAs−GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах. Український фізичний журнал. 2013. Т. 58, № 3. С. 262-268. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000725454

English  Ukrainian Journal of Physics   /     Issue (2013, 58 (3))

Lytovchenko N. M., Korbutiak D. V., Strilchuk O. M.
Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures

Cite:
Lytovchenko, N. M., Korbutiak, D. V., Strilchuk, O. M. (2013). Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures. Ukrainian Journal of Physics, 58 (3), 262-268. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000725454 [In Ukrainian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209