Екситонні характеристики InxGa1-xAs−GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах / Литовченко Н. М., Корбутяк Д. В., Стрільчук О. М. (2013)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000725454
  Український фізичний журнал      А - 2018  /     Випуск (2013, Т. 58, № 3)

Литовченко Н. М., Корбутяк Д. В., Стрільчук О. М.
Екситонні характеристики InxGa1-xAs−GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах

Бібліографічний опис:
Литовченко Н. М., Корбутяк Д. В., Стрільчук О. М. Екситонні характеристики InxGa1-xAs−GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах. Український фізичний журнал. 2013. Т. 58, № 3. С. 262-268. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000725454

English  Ukrainian Journal of Physics   /     Issue (2013, 58 (3))

Lytovchenko N. M., Korbutiak D. V., Strilchuk O. M.
Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures

Cite:
Lytovchenko, N. M., Korbutiak, D. V., Strilchuk, O. M. (2013). Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures. Ukrainian Journal of Physics, 58 (3), 262-268. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000725454 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна