Behavior of hydrogen during crystallization of thin silicon films doped with tin / Rudenko, R. M., Krasko, M. M., Voitovych, V. V., Kolosiuk, A. H., Povarchuk, V. Yu., Kraichynskyi, A. M., Yukhymchuk, V. O., Voitovych, M. V., Bratus, V. Ya., Zaloilo, I. A. (2013)
web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000725625
Ukrainian Journal of Physics   А - 2018 /  Issue (2013, Т. 58, № 12)
Руденко Р. М., Красько М. М., Войтович В. В., Колосюк А. Г., Поварчук В. Ю., Крайчинський А. М., Юхимчук В. О., Войтович М. В., Братусь В. Я., Залоїло І. А.
Поведінка водню при кристалізації тонких плівок кремнію, легованих оловом
Бібліографічний опис:
Руденко Р. М., Красько М. М., Войтович В. В., Колосюк А. Г., Поварчук В. Ю., Крайчинський А. М., Юхимчук В. О., Войтович М. В., Братусь В. Я., Залоїло І. А. Поведінка водню при кристалізації тонких плівок кремнію, легованих оловом. Український фізичний журнал. 2013. Т. 58, № 12. С. 1166-1171. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000725625 |  Ukrainian Journal of Physics / Issue (2013, 58 (12))
Rudenko R. M., Krasko M. M., Voitovych V. V., Kolosiuk A. H., Povarchuk V. Yu., Kraichynskyi A. M., Yukhymchuk V. O., Voitovych M. V., Bratus V. Ya., Zaloilo I. A.
Behavior of hydrogen during crystallization of thin silicon films doped with tin
Cite:
Rudenko, R. M., Krasko, M. M., Voitovych, V. V., Kolosiuk, A. H., Povarchuk, V. Yu., Kraichynskyi, A. M., Yukhymchuk, V. O., Voitovych, M. V., Bratus, V. Ya., Zaloilo, I. A. (2013). Behavior of hydrogen during crystallization of thin silicon films doped with tin. Ukrainian Journal of Physics, 58 (12), 1166-1171. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000725625 [In Ukrainian]. | |
|
|
PDF