Поведінка водню при кристалізації тонких плівок кремнію, легованих оловом / Руденко Р. М., Красько М. М., Войтович В. В., Колосюк А. Г., Поварчук В. Ю., Крайчинський А. М., Юхимчук В. О., Войтович М. В., Братусь В. Я., Залоїло І. А. (2013)
Ukrainian

English  Ukrainian Journal of Physics   /     Issue (2013, 58 (12))

Rudenko R. M., Krasko M. M., Voitovych V. V., Kolosiuk A. H., Povarchuk V. Yu., Kraichynskyi A. M., Yukhymchuk V. O., Voitovych M. V., Bratus V. Ya., Zaloilo I. A.
Behavior of hydrogen during crystallization of thin silicon films doped with tin


Cite:
Rudenko, R. M., Krasko, M. M., Voitovych, V. V., Kolosiuk, A. H., Povarchuk, V. Yu., Kraichynskyi, A. M., Yukhymchuk, V. O., Voitovych, M. V., Bratus, V. Ya., Zaloilo, I. A. (2013). Behavior of hydrogen during crystallization of thin silicon films doped with tin. Ukrainian Journal of Physics, 58 (12), 1166-1171. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000725625 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ


+38 (044) 525-36-24
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна