Investigation of temperature fields in microelectronic devices of layered structure with through inclusions / Gavrysh, V. I., Tushnitskij, R. B., Krajovskij, V. Ja., Levus, E. V. (2017)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000800015
  Electronic modeling  Б - 2018  /     Issue (2017, Т. 39, № 2)

Гаврыш В. И., Тушницкий Р. Б., Крайовский В. Я., Левус Е. В.
Исследование температурных полей в элементах микроэлектронных устройств слоистой структуры со сквозными включениями

Бібліографічний опис:
Гаврыш В. И., Тушницкий Р. Б., Крайовский В. Я., Левус Е. В. Исследование температурных полей в элементах микроэлектронных устройств слоистой структуры со сквозными включениями. Электронное моделирование. 2017. Т. 39, № 2. С. 91-102. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000800015

English  Electronic modeling   /     Issue (2017, 39 (2))

Gavrysh V. I., Tushnitskij R. B., Krajovskij V. Ja., Levus E. V.
Investigation of temperature fields in microelectronic devices of layered structure with through inclusions

Cite:
Gavrysh, V. I., Tushnitskij, R. B., Krajovskij, V. Ja., Levus, E. V. (2017). Investigation of temperature fields in microelectronic devices of layered structure with through inclusions. Electronic modeling, 39 (2), 91-102. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000800015 [In Russian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209