Исследование температурных полей в элементах микроэлектронных устройств слоистой структуры со сквозными включениями / Гаврыш В. И., Тушницкий Р. Б., Крайовский В. Я., Левус Е. В. (2017)
Ukrainian

English  Electronic modeling   /     Issue (2017, 39 (2))

Gavrysh V. I., Tushnitskij R. B., Krajovskij V. Ja., Levus E. V.
Investigation of temperature fields in microelectronic devices of layered structure with through inclusions


Cite:
Gavrysh, V. I., Tushnitskij, R. B., Krajovskij, V. Ja., Levus, E. V. (2017). Investigation of temperature fields in microelectronic devices of layered structure with through inclusions. Electronic modeling, 39 (2), 91-102. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000800015 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ


+38 (044) 525-36-24
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна