Three-barrier photodiodes based on gallium arsenide compounds for optical communication systems / Jodgorova, D. M., Karimov, A. V., Kamonov, B. M., Jakubov, E. N. (2009)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000872977
  Physical surface engineering   /     Issue (2009, Т. 7, № 3)

Ёдгорова Д. М., Каримов А. В., Камонов Б. М., Якубов Э. Н.
Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи

Бібліографічний опис:
Ёдгорова Д. М., Каримов А. В., Камонов Б. М., Якубов Э. Н. Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи. Фізична інженерія поверхні. 2009. Т. 7, № 3. С. 252-255. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000872977

English  Physical surface engineering   /     Issue (2009, 7 (3))

Jodgorova D. M., Karimov A. V., Kamonov B. M., Jakubov E. N.
Three-barrier photodiodes based on gallium arsenide compounds for optical communication systems

Cite:
Jodgorova, D. M., Karimov, A. V., Kamonov, B. M., Jakubov, E. N. (2009). Three-barrier photodiodes based on gallium arsenide compounds for optical communication systems. Physical surface engineering, 7 (3), 252-255. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000872977 [In Russian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209