Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи / Ёдгорова Д. М., Каримов А. В., Камонов Б. М., Якубов Э. Н. (2009)
Ukrainian

English  Physical surface engineering   /     Issue (2009, 7 (3))

Jodgorova D. M., Karimov A. V., Kamonov B. M., Jakubov E. N.
Three-barrier photodiodes based on gallium arsenide compounds for optical communication systems


Cite:
Jodgorova, D. M., Karimov, A. V., Kamonov, B. M., Jakubov, E. N. (2009). Three-barrier photodiodes based on gallium arsenide compounds for optical communication systems. Physical surface engineering, 7 (3), 252-255. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000872977 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ


+38 (044) 525-36-24
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна