Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing / Krasko, M. M., Kolosiuk, A. H., Voitovych, V. V., Povarchuk, V. Yu., Rohutskyi, I. S. (2018)
web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000940845
Ukrainian Journal of Physics   А - 2018 /  Issue (2018, Т. 63, № 12)
Красько М. М., Колосюк А. Г., Войтович В. В., Поварчук В. Ю., Рогуцький І. С.
Вплив дефектів дивакансія-кисень на рекомбінаційні властивості n-Si після опромінення та наступного відпалу
Бібліографічний опис:
Красько М. М., Колосюк А. Г., Войтович В. В., Поварчук В. Ю., Рогуцький І. С. Вплив дефектів дивакансія-кисень на рекомбінаційні властивості n-Si після опромінення та наступного відпалу. Український фізичний журнал. 2018. Т. 63, № 12. С. 1095-1104. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000940845 |  Ukrainian Journal of Physics / Issue (2018, 63 (12))
Krasko M. M., Kolosiuk A. H., Voitovych V. V., Povarchuk V. Yu., Rohutskyi I. S.
Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
Cite:
Krasko, M. M., Kolosiuk, A. H., Voitovych, V. V., Povarchuk, V. Yu., Rohutskyi, I. S. (2018). Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing. Ukrainian Journal of Physics, 63 (12), 1095-1104. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000940845 [In Ukrainian]. | |
|
|
PDF