Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers / Shmid, V., Podolian, A., Nadtochii, A., Korotchenkov, O., Romaniuk, B., Melnyk, V., Popov, V., Kosulia, O. (2019)
web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001004360
Ukrainian Journal of Physics   А - 2018 /  Issue (2019, Т. 64, № 5)
Шмід В., Подолян А., Надточій А., Коротченков O., Романюк Б., Мельник В., Попов В., Косуля О.
Фотоелектричні властивості плівок SiGe, покритих шарами аморфного та полікристалічного кремнію
Бібліографічний опис:
Шмід В., Подолян А., Надточій А., Коротченков O., Романюк Б., Мельник В., Попов В., Косуля О. Фотоелектричні властивості плівок SiGe, покритих шарами аморфного та полікристалічного кремнію. Український фізичний журнал. 2019. Т. 64, № 5. С. 413-422. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001004360 |  Ukrainian Journal of Physics / Issue (2019, 64 (5))
Shmid V., Podolian A., Nadtochii A., Korotchenkov O., Romaniuk B., Melnyk V., Popov V., Kosulia O.
Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
Cite:
Shmid, V., Podolian, A., Nadtochii, A., Korotchenkov, O., Romaniuk, B., Melnyk, V., Popov, V., Kosulia, O. (2019). Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers. Ukrainian Journal of Physics, 64 (5), 413-422. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001004360 [In Ukrainian]. | |
|
|
PDF