Фотоелектричні властивості плівок SiGe, покритих шарами аморфного та полікристалічного кремнію / Шмід В., Подолян А., Надточій А., Коротченков O., Романюк Б., Мельник В., Попов В., Косуля О. (2019)
інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001004360
Український фізичний журнал   А - 2018 /  Випуск (2019, Т. 64, № 5)
Шмід В., Подолян А., Надточій А., Коротченков O., Романюк Б., Мельник В., Попов В., Косуля О.
Фотоелектричні властивості плівок SiGe, покритих шарами аморфного та полікристалічного кремнію
Бібліографічний опис:
Шмід В., Подолян А., Надточій А., Коротченков O., Романюк Б., Мельник В., Попов В., Косуля О. Фотоелектричні властивості плівок SiGe, покритих шарами аморфного та полікристалічного кремнію. Український фізичний журнал. 2019. Т. 64, № 5. С. 413-422. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001004360 |  Ukrainian Journal of Physics / Issue (2019, 64 (5))
Shmid V., Podolian A., Nadtochii A., Korotchenkov O., Romaniuk B., Melnyk V., Popov V., Kosulia O.
Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
Cite:
Shmid, V., Podolian, A., Nadtochii, A., Korotchenkov, O., Romaniuk, B., Melnyk, V., Popov, V., Kosulia, O. (2019). Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers. Ukrainian Journal of Physics, 64 (5), 413-422. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001004360 [In Ukrainian]. | |
|
|
PDF