Magnetotenso- and tensomagnetoresistance of n-Ge / Baranskyi, P. I., Haidar, H. P. (2016)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001007752
  Optoelectronics and Semiconductor Technique  Б - 2020  /     Issue (2016, Вып. 51)

Баранський П. І., Гайдар Г. П.
Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge

Бібліографічний опис:
Баранський П. І., Гайдар Г. П. Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2016. Вып. 51. С. 128-134. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001007752

English  Optoelectronics and Semiconductor Technique   /     Issue (2016, 51)

Baranskyi P. I., Haidar H. P.
Magnetotenso- and tensomagnetoresistance of n-Ge

Cite:
Baranskyi, P. I., Haidar, H. P. (2016). Magnetotenso- and tensomagnetoresistance of n-Ge. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 51, 128-134. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001007752 [In Ukrainian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209