Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge / Баранський П. І., Гайдар Г. П. (2016)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001007752
  Оптоэлектроника и полупроводниковая техника  Б - 2020  /     Випуск (2016, Вып. 51)

Баранський П. І., Гайдар Г. П.
Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge

Бібліографічний опис:
Баранський П. І., Гайдар Г. П. Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2016. Вып. 51. С. 128-134. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001007752

English  Optoelectronics and Semiconductor Technique   /     Issue (2016, 51)

Baranskyi P. I., Haidar H. P.
Magnetotenso- and tensomagnetoresistance of n-Ge

Cite:
Baranskyi, P. I., Haidar, H. P. (2016). Magnetotenso- and tensomagnetoresistance of n-Ge. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 51, 128-134. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001007752 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна