Comparison of the electrophysical properties of silicon crystals doped with phosphorus through the melt and by using the method of nuclear transmutation / Baranskyi, P. I., Haidar, H. P. (2015)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001061482
  Optoelectronics and Semiconductor Technique  Б - 2020  /     Issue (2015, Вып. 50)

Баранський П. І., Гайдар Г. П.
Зіставлення електрофізичних властивостей кристалів кремнію, легованих домішкою фосфору крізь розплав і методом ядерної трансмутації

Бібліографічний опис:
Баранський П. І., Гайдар Г. П. Зіставлення електрофізичних властивостей кристалів кремнію, легованих домішкою фосфору крізь розплав і методом ядерної трансмутації. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2015. Вып. 50. С. 73-78. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001061482

English  Optoelectronics and Semiconductor Technique   /     Issue (2015, 50)

Baranskyi P. I., Haidar H. P.
Comparison of the electrophysical properties of silicon crystals doped with phosphorus through the melt and by using the method of nuclear transmutation

Cite:
Baranskyi, P. I., Haidar, H. P. (2015). Comparison of the electrophysical properties of silicon crystals doped with phosphorus through the melt and by using the method of nuclear transmutation. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 50, 73-78. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001061482 [In Ukrainian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209