Chemical etching of PbTe and Pb1–xSnxTe single crystals by using H2O2–HBr solutions with different initial HBr concentrations / Malanich, G. P., Tomashik, V. M., Stratijchuk, I. B., Tomashik, Z. F. (2015)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001061485
  Optoelectronics and Semiconductor Technique  Б - 2020  /     Issue (2015, Вып. 50)

Маланич Г. П., Томашик В. М., Стратийчук И. Б., Томашик З. Ф.
Химическое травление монокристаллов PbTe и Pb1–xSnxTe растворами H2O2–HBr с использованием разной исходной концентрации HBr

Бібліографічний опис:
Маланич Г. П., Томашик В. М., Стратийчук И. Б., Томашик З. Ф. Химическое травление монокристаллов PbTe и Pb1–xSnxTe растворами H2O2–HBr с использованием разной исходной концентрации HBr. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2015. Вып. 50. С. 94-101. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001061485

English  Optoelectronics and Semiconductor Technique   /     Issue (2015, 50)

Malanich G. P., Tomashik V. M., Stratijchuk I. B., Tomashik Z. F.
Chemical etching of PbTe and Pb1–xSnxTe single crystals by using H2O2–HBr solutions with different initial HBr concentrations

Cite:
Malanich, G. P., Tomashik, V. M., Stratijchuk, I. B., Tomashik, Z. F. (2015). Chemical etching of PbTe and Pb1–xSnxTe single crystals by using H2O2–HBr solutions with different initial HBr concentrations. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 50, 94-101. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001061485 [In Russian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209