Peculiarities of manufacture, electrical and photoelectrical properties of diffusion Gep-i-n- photodiodes / Maslov, V. P., Sukach, A. V., Tetorkin, V. V., Kravetskyi, M. Yu., Kachur, N. V., Venher, Ye. F., Voroshchenko, A. T., Lutsyshyn, I. H., Matiiuk, I. M., Fedorenko, A. V. (2018)
web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001074347
Optoelectronics and Semiconductor Technique Б - 2020 /  Issue (2018, Вып. 53)
Маслов В. П., Сукач А. В., Тетьоркін В. В., Кравецький М. Ю., Качур Н. В., Венгер Є. Ф., Ворощенко А. Т., Луцишин І. Г., Матіюк І. М., Федоренко А. В.
Особливості виготовлення, електричні та фотоелектричні властивості дифузійних Ge p-i-n фотодіодів
Бібліографічний опис:
Маслов В. П., Сукач А. В., Тетьоркін В. В., Кравецький М. Ю., Качур Н. В., Венгер Є. Ф., Ворощенко А. Т., Луцишин І. Г., Матіюк І. М., Федоренко А. В. Особливості виготовлення, електричні та фотоелектричні властивості дифузійних Ge p-i-n фотодіодів. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2018. Вып. 53. С. 188-198. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001074347 |  Optoelectronics and Semiconductor Technique / Issue (2018, 53)
Maslov V. P., Sukach A. V., Tetorkin V. V., Kravetskyi M. Yu., Kachur N. V., Venher Ye. F., Voroshchenko A. T., Lutsyshyn I. H., Matiiuk I. M., Fedorenko A. V.
Peculiarities of manufacture, electrical and photoelectrical properties of diffusion Gep-i-n- photodiodes
Cite:
Maslov, V. P., Sukach, A. V., Tetorkin, V. V., Kravetskyi, M. Yu., Kachur, N. V., Venher, Ye. F., Voroshchenko, A. T., Lutsyshyn, I. H., Matiiuk, I. M., Fedorenko, A. V. (2018). Peculiarities of manufacture, electrical and photoelectrical properties of diffusion Gep-i-n- photodiodes. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 53, 188-198. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001074347 [In Ukrainian]. | |
|
|
PDF