Особливості виготовлення, електричні та фотоелектричні властивості дифузійних Ge p-i-n фотодіодів / Маслов В. П., Сукач А. В., Тетьоркін В. В., Кравецький М. Ю., Качур Н. В., Венгер Є. Ф., Ворощенко А. Т., Луцишин І. Г., Матіюк І. М., Федоренко А. В. (2018)
інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001074347
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Б - 2020 /  Випуск (2018, Вып. 53)
Маслов В. П., Сукач А. В., Тетьоркін В. В., Кравецький М. Ю., Качур Н. В., Венгер Є. Ф., Ворощенко А. Т., Луцишин І. Г., Матіюк І. М., Федоренко А. В.
Особливості виготовлення, електричні та фотоелектричні властивості дифузійних Ge p-i-n фотодіодів
Бібліографічний опис:
Маслов В. П., Сукач А. В., Тетьоркін В. В., Кравецький М. Ю., Качур Н. В., Венгер Є. Ф., Ворощенко А. Т., Луцишин І. Г., Матіюк І. М., Федоренко А. В. Особливості виготовлення, електричні та фотоелектричні властивості дифузійних Ge p-i-n фотодіодів. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2018. Вып. 53. С. 188-198. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001074347 |  Optoelectronics and Semiconductor Technique / Issue (2018, 53)
Maslov V. P., Sukach A. V., Tetorkin V. V., Kravetskyi M. Yu., Kachur N. V., Venher Ye. F., Voroshchenko A. T., Lutsyshyn I. H., Matiiuk I. M., Fedorenko A. V.
Peculiarities of manufacture, electrical and photoelectrical properties of diffusion Gep-i-n- photodiodes
Cite:
Maslov, V. P., Sukach, A. V., Tetorkin, V. V., Kravetskyi, M. Yu., Kachur, N. V., Venher, Ye. F., Voroshchenko, A. T., Lutsyshyn, I. H., Matiiuk, I. M., Fedorenko, A. V. (2018). Peculiarities of manufacture, electrical and photoelectrical properties of diffusion Gep-i-n- photodiodes. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 53, 188-198. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001074347 [In Ukrainian]. | |
|
|
PDF