The influence of the periodic relief of the silicon substrate on polarization of photoluminescence observed in nc-Si–SiOx nanostructures / Mykhailovska, K. V., Mynko, V. I., Indutnyi, I. Z., Shepeliavyi, P. Ye. (2017)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001138334
  Optoelectronics and Semiconductor Technique  Б - 2020  /     Issue (2017, Вып. 52)

Михайловська К. В., Минько В. І., Індутний І. З., Шепелявий П. Є.
Вплив періодичного рельєфу кремнієвої підкладки на поляризацію фотолюмінесценції nc-Si–SiOx наноструктур

Бібліографічний опис:
Михайловська К. В., Минько В. І., Індутний І. З., Шепелявий П. Є. Вплив періодичного рельєфу кремнієвої підкладки на поляризацію фотолюмінесценції nc-Si–SiOx наноструктур. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2017. Вып. 52. С. 100-107. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001138334

English  Optoelectronics and Semiconductor Technique   /     Issue (2017, 52)

Mykhailovska K. V., Mynko V. I., Indutnyi I. Z., Shepeliavyi P. Ye.
The influence of the periodic relief of the silicon substrate on polarization of photoluminescence observed in nc-Si–SiOx nanostructures

Cite:
Mykhailovska, K. V., Mynko, V. I., Indutnyi, I. Z., Shepeliavyi, P. Ye. (2017). The influence of the periodic relief of the silicon substrate on polarization of photoluminescence observed in nc-Si–SiOx nanostructures. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 52, 100-107. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001138334 [In Ukrainian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209