Вплив періодичного рельєфу кремнієвої підкладки на поляризацію фотолюмінесценції nc-Si–SiOx наноструктур / Михайловська К. В., Минько В. І., Індутний І. З., Шепелявий П. Є. (2017)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001138334
  Оптоэлектроника и полупроводниковая техника  Б - 2020  /     Випуск (2017, Вып. 52)

Михайловська К. В., Минько В. І., Індутний І. З., Шепелявий П. Є.
Вплив періодичного рельєфу кремнієвої підкладки на поляризацію фотолюмінесценції nc-Si–SiOx наноструктур

Бібліографічний опис:
Михайловська К. В., Минько В. І., Індутний І. З., Шепелявий П. Є. Вплив періодичного рельєфу кремнієвої підкладки на поляризацію фотолюмінесценції nc-Si–SiOx наноструктур. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2017. Вып. 52. С. 100-107. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001138334

English  Optoelectronics and Semiconductor Technique   /     Issue (2017, 52)

Mykhailovska K. V., Mynko V. I., Indutnyi I. Z., Shepeliavyi P. Ye.
The influence of the periodic relief of the silicon substrate on polarization of photoluminescence observed in nc-Si–SiOx nanostructures

Cite:
Mykhailovska, K. V., Mynko, V. I., Indutnyi, I. Z., Shepeliavyi, P. Ye. (2017). The influence of the periodic relief of the silicon substrate on polarization of photoluminescence observed in nc-Si–SiOx nanostructures. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 52, 100-107. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001138334 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна