Hydrogen gettering in annealed oxygen-implanted silicon / Misiuk A., Barcz A., Ulyashin A., Antonova I. V., Prujszczyk M. (2010)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349239
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2010, Vol. 13, № 2)

Misiuk A., Barcz A., Ulyashin A., Antonova I. V., Prujszczyk M.
Hydrogen gettering in annealed oxygen-implanted silicon

Cite:
Misiuk, A., Barcz, A., Ulyashin, A., Antonova, I. V., Prujszczyk, M. (2010). Hydrogen gettering in annealed oxygen-implanted silicon. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 13 (2), 161-165. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349239

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна