Dynamic properties and avalanche noise analysis of 4H-SiC over wz-GaN based IMPATTs at mm-wave window frequency / Tripathy P. R., Mukherjee M., Pati S. P. (2011)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349483
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2011, Vol. 14, № 2)

Tripathy P. R., Mukherjee M., Pati S. P.
Dynamic properties and avalanche noise analysis of 4H-SiC over wz-GaN based IMPATTs at mm-wave window frequency

Cite:
Tripathy, P. R., Mukherjee, M., Pati, S. P. (2011). Dynamic properties and avalanche noise analysis of 4H-SiC over wz-GaN based IMPATTs at mm-wave window frequency. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 14 (2), 137-144. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349483

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна