Impact of sidewall spacer on gate leakage behavior of nano-scale MOSFETs / Rana A. K., Chand N., Kapoor V. (2011)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349496
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2011, Vol. 14, № 2)

Rana A. K., Chand N., Kapoor V.
Impact of sidewall spacer on gate leakage behavior of nano-scale MOSFETs

Cite:
Rana, A. K., Chand, N., Kapoor, V. (2011). Impact of sidewall spacer on gate leakage behavior of nano-scale MOSFETs. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 14 (2), 203-208. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349496

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна