The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon / Gaidar G. P., Dolgolenko A. P., Litovchenko P. G. (2011)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349498
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2011, Vol. 14, № 2)

Gaidar G. P., Dolgolenko A. P., Litovchenko P. G.
The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon

Cite:
Gaidar, G. P., Dolgolenko, A. P., Litovchenko, P. G. (2011). The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 14 (2), 213-221. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349498

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна