Polarization conversion effect in obliquely deposited SiOx films / Sopinskyy M. V., Indutnyi I. Z., Michailovska K. V., Shepeliavy P. E., Tkach V. M. (2011)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349737
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2011, Vol. 14, № 3)

Sopinskyy M. V., Indutnyi I. Z., Michailovska K. V., Shepeliavy P. E., Tkach V. M.
Polarization conversion effect in obliquely deposited SiOx films

Cite:
Sopinskyy, M. V., Indutnyi, I. Z., Michailovska, K. V., Shepeliavy, P. E., Tkach, V. M. (2011). Polarization conversion effect in obliquely deposited SiOx films. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 14 (3), 273-278. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349737

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна