Characterization of quaternary chalcogenide As-Ge-Te-Si thin films / Amer H. H., Elkordy M., Zien M., Dahshan A., Elshamy R. A. (2011)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349741
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2011, Vol. 14, № 3)

Amer H. H., Elkordy M., Zien M., Dahshan A., Elshamy R. A.
Characterization of quaternary chalcogenide As-Ge-Te-Si thin films

Cite:
Amer, H. H., Elkordy, M., Zien, M., Dahshan, A., Elshamy, R. A. (2011). Characterization of quaternary chalcogenide As-Ge-Te-Si thin films. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 14 (3), 302-307. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349741

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна