Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes / Sukach A. V., Tetyorkin V. V., Krolevec N. M. (2011)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349822
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2011, Vol. 14, № 4)

Sukach A. V., Tetyorkin V. V., Krolevec N. M.
Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes

Cite:
Sukach, A. V., Tetyorkin, V. V., Krolevec, N. M. (2011). Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes . Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 14 (4), 416-420. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349822

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна