3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC / Vlaskina S. I., Mishinova G. N., Vlaskin V. I., Rodionov V. E., Svechnikov G. S. (2011)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349825
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2011, Vol. 14, № 4)

Vlaskina S. I., Mishinova G. N., Vlaskin V. I., Rodionov V. E., Svechnikov G. S.
3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC

Cite:
Vlaskina, S. I., Mishinova, G. N., Vlaskin, V. I., Rodionov, V. E., Svechnikov, G. S. (2011). 3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 14 (4), 432-436 . http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349825

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна