Graphene layers fabricated from the Ni/a-SiC bilayer precursor / Nazarov A. N., Vasin A. V., Gordienko S. O., Lytvyn P. M., Strelchuk V. V., Nikolenko A. S., Hirov A. S., Rusavsky A. V., Popov V. P., Lysenko V. S. (2013)
інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000352345
Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics    А - 2019 /  Випуск (2013, Vol. 16, № 4)
Nazarov A. N., Vasin A. V., Gordienko S. O., Lytvyn P. M., Strelchuk V. V., Nikolenko A. S., Hirov A. S., Rusavsky A. V., Popov V. P., Lysenko V. S.
Graphene layers fabricated from the Ni/a-SiC bilayer precursor
Cite:
Nazarov, A. N., Vasin, A. V., Gordienko, S. O., Lytvyn, P. M., Strelchuk, V. V., Nikolenko, A. S., Hirov, A. S., Rusavsky, A. V., Popov, V. P., Lysenko, V. S. (2013). Graphene layers fabricated from the Ni/a-SiC bilayer precursor . Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 16 (4), 332-330. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000352345 | |
|
|
PDF