Influence of high temperature annealing on the structure and the intrinsic absorption edge of thin-film silicon doped with tin / Rudenko R. M., Voitovych V. V., Kras'ko M. M., Kolosyuk A. G., Kraichynskyi A. M., Yukhymchuk V. O., Makara V. A. (2013)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000690902
  Ukrainian journal of physics      А - 2018  /     Випуск (2013, Vol. 58, № 8)

Rudenko R. M., Voitovych V. V., Kras'ko M. M., Kolosyuk A. G., Kraichynskyi A. M., Yukhymchuk V. O., Makara V. A.
Influence of high temperature annealing on the structure and the intrinsic absorption edge of thin-film silicon doped with tin

Cite:
Rudenko, R. M., Voitovych, V. V., Krasko, M. M., Kolosyuk, A. G., Kraichynskyi, A. M., Yukhymchuk, V. O., Makara, V. A. (2013). Influence of high temperature annealing on the structure and the intrinsic absorption edge of thin-film silicon doped with tin. Ukrainian journal of physics, 58 (8), 769-772. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000690902

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна