Hall-effect study of disordered regions in proton-irradiated n-Si crystals / Pagava T. A., Beridze M. G., Maisuradze N. I., Chkhartishvili L. S., Kalandadze I. G. (2013)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000690903
  Ukrainian journal of physics      А - 2018  /     Випуск (2013, Vol. 58, № 8)

Pagava T. A., Beridze M. G., Maisuradze N. I., Chkhartishvili L. S., Kalandadze I. G.
Hall-effect study of disordered regions in proton-irradiated n-Si crystals

Cite:
Pagava, T. A., Beridze, M. G., Maisuradze, N. I., Chkhartishvili, L. S., Kalandadze, I. G. (2013). Hall-effect study of disordered regions in proton-irradiated n-Si crystals. Ukrainian journal of physics, 58 (8), 773-779. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000690903

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна