Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers / Vainberg V. V., Pylypchuk A. S., Poroshin V. N., Sarbey O. G. (2014)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000696136
  Ukrainian journal of physics      А - 2018  /     Випуск (2014, Vol. 59, № 7)

Vainberg V. V., Pylypchuk A. S., Poroshin V. N., Sarbey O. G.
Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers

Cite:
Vainberg, V. V., Pylypchuk, A. S., Poroshin, V. N., Sarbey, O. G. (2014). Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers. Ukrainian journal of physics, 59 (7), 721-725. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000696136

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна