Voids' layer structures in silicon irradiated with high doses of high-energy helium ions / Starchyk M. I., Marchenko L. S., Pinkovska M. B., Shmatko G. G., Varnina V. I. (2015)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714276
  Semiconductor physics quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2015, Vol. 18, № 3)

Starchyk M. I., Marchenko L. S., Pinkovska M. B., Shmatko G. G., Varnina V. I.
Voids' layer structures in silicon irradiated with high doses of high-energy helium ions

Cite:
Starchyk, M. I., Marchenko, L. S., Pinkovska, M. B., Shmatko, G. G., Varnina, V. I. (2015). Voids' layer structures in silicon irradiated with high doses of high-energy helium ions. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 18 (3), 292-296. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714276

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна