Polarization memory of the luminescence related with Si nanoparticles embedded into oxide matrix / Michailovska K. V., Indutnyi I. Z., Kudryavtsev O. O., Sopinskyy M. V., Shepeliavyi P. E. (2015)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714282
  Semiconductor physics quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2015, Vol. 18, № 3)

Michailovska K. V., Indutnyi I. Z., Kudryavtsev O. O., Sopinskyy M. V., Shepeliavyi P. E.
Polarization memory of the luminescence related with Si nanoparticles embedded into oxide matrix

Cite:
Michailovska, K. V., Indutnyi, I. Z., Kudryavtsev, O. O., Sopinskyy, M. V., Shepeliavyi, P. E. (2015). Polarization memory of the luminescence related with Si nanoparticles embedded into oxide matrix. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 18 (3), 324-329. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714282

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна