інтернет-адреса сторінки:
http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714495
Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics 
А - 2019 /
Випуск (2017, Vol. 20, № 1)
Gaidar G. P., Baranskii P. I.
Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals
Cite:
Gaidar, G. P., Baranskii, P. I. (2017). Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 20 (1), 123-128. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714495
PDF